没错，不是现已研讨出3nm技能的台积电，也不是现已量产5nm芯片的三星，而是IBM。

  据IBM官方表明，这种技能能在指甲盖巨细（150mm?）的芯片上装置500亿个晶体管。

  不过，这并不代表IBM就具有量产2nm芯片的才能，因为这项技能是在它坐落纽约州奥尔巴尼（Albany）的芯片制作研讨中心做出来的，但量产还触及许多其他技能。

  因为IBM自己不存在10nm制程以下的晶圆厂，因而要想这个2nm工艺完结量产，或许还需求找其他晶圆厂代工。

  此前，业界遍及选用FinFET（鳍式场效应晶体管）结构，但在5nm节点后，这种结构难以满意晶体管所需的静电操控，呈现严峻的漏电现象。

  三星首先选用了名为GAA（gate-all-around，盘绕式栅极）的晶体管技能，对3nm制程芯片进行研制，IBM的2nm制程所选用的技能，也同样是GAA。

  其间，GAA分为纳米线结构（下图左三）和纳米片结构（下图右一，MBCFET是三星商标）两种，这次IBM选用的便是纳米片结构。

  比较于纳米线结构，纳米片结构的长宽比较高，触摸面积更大，但也更难操控片与片之间的刻蚀与薄膜成长。

  从图中可见，IBM的2nm芯片中，纳米片共有三层，每片纳米片宽40nm，高5nm，距离44nm，栅极长度12nm。

  没错。这儿IBM的2nm早现已不指栅极长度（MOS管的最小沟道长度），而是等效成了芯片上的晶体管节点密度。

  这个芯片的密度达到了333MTr/mm?，即每平方毫米包容3.3亿个晶体管。

  关于这次研讨的打破，IBM混合云研讨副总裁Mukesh Khare表明：

  没什么妨碍是我们不能够打破的。随技能老练，还会有更多打破呈现。比较于困难，我看到的反而是立异的动力和行进的时机。

  一个工艺从实验室出来，到大规模量产，过程中需求芯片代工厂不断的进步晶圆良率。

  晶圆良率，指完结一切工艺过程后，测验合格的芯片的数量与整片晶圆上的有用芯片的比值。

  比较有意思的是，IBM现在是没有大规模量产芯片的才能的，更或许将这项工艺交给三星等芯片制作商代工（现在已与英特尔和三星签署联合开发协议）。

  IBM尽管从前也是芯片制作商之一，却在2014年将自己的晶圆厂出售给了格罗方德（听说IBM还向格罗方德交了15亿美元，才把晶圆厂塞给它）。

  而从制作工艺来看，IBM直接完结了2nm的腾跃，台积电现在研制出3nm制程，估计今明两年完结量产。

  三星现在也在研制3nm制程的芯片。至于英特尔，则还在7nm芯片上挣扎，量产估计要比及2023年。

  关于IBM的这次打破，市场分析公司IDC的研讨主管Peter Rudden表明：

  这能够被看成是一个打破，究竟对某些厂商来说，7nm就现已是个巨大的挑战了。

  不过，也有网上的朋友表明，这并不代表IBM的进程就超过了台积电：“重点是大规模量产，但是，IBM现在还没有自己的晶圆厂。”